Hans diode: princippet om drift og anvendelse

Gann diode er en halvleder, der er i stand tilat generere svingninger ved forskellige frekvenser. I elektronikforretninger sælges enheder i forskellige typer. Også værd at bemærke, at de afviger i størrelse. De vigtigste parametre af modifikationerne omfatter strømkonduktivitet, spænding, maksimal frekvens og modstand.

Enheden af ​​Gunn-dioden ligner den konventionellehalvleder. Standardmodellen består af et tyndt lag arsenid. Også inde i enheden er der et specielt galliummedium og kontakter. Doteringsmiddel og elektroder er placeret under arsenidlaget. Teknologien til fremstilling af Gunn diode på forskellige virksomheder kan afvige.

Hvordan virker det?

Som nævnt før er der forskellige typer dioder. Princippet om brug af enheder er baseret på transformation af svingninger. Dette skyldes en ændring i frekvensen i kredsløbet. Indledningsvist anbringes spændingen på kontakterne, hvor et arsenidlag er spændt. Derefter anvendes elektroder direkte. Styrken af ​​magnetfeltet øges. Optiske kontakter i systemet er nødvendige for at øge modstanden. Oscillationsgenereringsprocessen udføres i legerings urenheder. Stigningen i mætningsraten afhænger i dette tilfælde af elektrodens ledningsevne.

Anvendelse af Gunn dioder

Dioder anvendes aktivt i generatorer af forskelligefrekvens. Det er også værd at bemærke, at de ofte installeres i controllere. De kan også findes i transformere. Imidlertid er enhederne ikke egnede til alle typer modifikationer. For at forstå dette mere detaljeret skal vi overveje typer af dioder.

Typer af modifikationer

Til dato har korps ogopen-frame enheder. De adskiller sig i konduktivitet såvel som i sikkerhed. Det er også værd at bemærke, at adskillelsen af ​​modifikationer udføres langs længden. Der er dioder på 20, 50 og 100 mikron.

Kropsdioder

Hulls solid state halvlederdiode (fotovist nedenfor) er egnet til generatorer med forskellige frekvenser. Hvis du tror på eksperterne, har modifikationerne god ledningsevne. Indretningerne kan tilsluttes via kontaktmodulatorer. Teknologien til fremstilling af Gunn diode i forskellige fabrikker kan variere. I nogle tilfælde anvendes kanaladaptere.

Også værd at bemærke, at kroppen dioderhar god sikkerhed Deres arbejdsfugtighedsparameter er omkring 55%. Den mindste tilladte temperatur er -30 grader. Modeller er også velegnede til kondensator transformatorer. På grund af de præsenterede dioder opnås en høj hastighed af elektroderne.

Avalanche åbne enheder

Han er lavine lavinefri dioderbruges som regel til drift af controllere. Konduktivitetsparameteren i mange modeller starter fra 30 mikron. Dette sikrer en høj hastighed af elektroderne. Hvis vi betragter den serielle Gunn diode, svarer dens konstruktion til en lineær halvleder. Ved en spænding på 12 V er overbelastningsgraden af ​​modellerne mindst 55 A.

Men i dette tilfælde afhænger meget af størrelsenmodifikation. Det er også værd at overveje den type transistor, der bruges til at forbinde til controlleren. I mange tilfælde kan enheder tilsluttes via en distributør. I denne situation er modstanden ca. 2 ohm. Sætningsmængden afhænger af mængden af ​​doterings urenheder. Det skal bemærkes, at ændringerne ikke er egnede til kontaktløse controllere. Hovedproblemet ligger her i den lave mætningshastighed.

Enheder ved 20 μm

Det er meget populært med denne Gunn diode. Princippet om hans arbejde er baseret på dannelsen af ​​svingninger. Modeller er gode til styringstype controllere. Det er også værd at bemærke, at ændringerne afviger i god negativ modstand ved lave termiske tab. Men de har visse ulemper.

Først og fremmest bemærker eksperter en laven overbelastningsindikator ved en spænding på 10 V. Modeller har ikke den bedste sikkerhed. Diodens driftsfugtighed er 20 μm svarende til 40%. De legeringsmæssige urenheder i dette tilfælde interagerer langsomt med katoden. Elektrernes hastighed afhænger ikke kun af ledningsevnen, men også af modstanden.

Modifikationer af 50 μm

Gunn diode (betegnelse 50 μm er angivet påkrop) kan bruges til kraftfulde generatorer. Modifikationer kan kun tilsluttes via forbigående kondensatorer. Hvis vi overvejer en Gunn 3A716I diode, så er den tilladte spændingsparameter 15 V. Beskyttelsen af ​​modellen i dette tilfælde afhænger af den type blokering, der anvendes i udstyret. Ledningsevnen holdes i gennemsnit på gennemsnitligt 40 mikron. Nogle eksperter siger, at de præsenterede halvledere ikke har den bedste ledningsevne.

Det skal dog bemærkes, at generationsprocessenudsving forekommer meget hurtigt. Dette sikrer en høj grad af mætning af arsenid. Galliummediet forbliver aktivt, selv når temperaturen stiger. Det er især vigtigt at bemærke, at modifikationer på 50 μm er egnede til kode controllere. Transit blokke bruges til tilslutning. I dette tilfælde tilvejebringes ledningsevne på et niveau på 45 mikron. I dette tilfælde er diodeens modstand højst 2 Ω. De giver fremragende sikkerhed, elektrodenes hastighed opretholdes på et højt niveau. Hvis vi taler om manglerne i sådanne systemer, er det vigtigt at bemærke, at de har en lav mætningsgrad. Dette skyldes i høj grad tilstedeværelsen af ​​urenheder i galliummediet.

Det kan også nævnes, at kontakter ofte erOverophedning, oscillationsgenereringsprocessen kan blive kraftigt bremset. For at løse det fremlagte problem kan forbigående filtre anvendes. Først og fremmest øger de den negative modstand. De har også en god effekt på elektrodens ledningsevne.

Forskel mellem enheder ved 100 μm

Blandt lukkede modeller detteHann er diode. Modifikationerne er baseret på transformation af svingninger. Til dette aktiveres det nedre lag af arsenid. Hvis vi betragter en konventionel Gunn-diode, svarer konstruktionen af ​​den til en lineær halvleder. Optiske kontakter spiller rollen som ledere.

Hvis vi taler om anvendelsen af ​​ændringer, er det værdBemærk, at dioder pr. 100 μm ikke er dårlige for kodestyrere. De kan arbejde ved en spænding på 13 V. På nuværende tidspunkt må den aktuelle overbelastningsindikator ikke falde under 40 A. Den negative modstand i systemet afhænger kun af oscillationsgenereringens hastighed. Det er også værd at bemærke, at 100 μm dioder ofte bruges til drev controllere.

Modifikationer for 10 GHz generatorer

For generatorer ved 10 GHz er dioder egnedelukket type. Modifikationslængden spiller ingen rolle. Direkte tilslutning af enheden udføres via en konventionel forbigående kondensator. Også egnede er feltanaloger, som har en høj negativ modstandsparameter. Modifikationer for 10 GHz generatorer skal fungere ved en spænding, der ikke er mindre end 10 V.

Det er også værd at bemærke, at du ikke kan oprette forbindelsemodifikation via en konventionel ledningskontaktor. Først og fremmest reducerer det ledningsevnen af ​​enheden. Dette reducerer elektrodernes hastighed. Optiske kontaktorer til disse formål er fremragende. De påvirker absolut ikke koefficienten for termisk ledningsevne. I gennemsnit opretholdes den negative modstand ved 4 ohm.

Enheder til 15 GHz generatorer

Generatorer på 15 GHz må brugedioder er kun lukket type. Forbindelsen af ​​modifikationer udføres som regel gennem cantilever kondensatorer med konduktivitet i niveauet 4 mikron. I nogle tilfælde anvendes konventionelle kontaktorer. De skal imidlertid arbejde ved en spænding på 10 V. Med generatorsikkerheden er alt fint. Optiske kontakter af dioder er spændte ret hurtigt. Eksperter peger også på elektrodernes høje hastighed. Dette skyldes i høj grad den høje konduktivitet. Mætningshastigheden styres af stikket. Hvis man skal tale om minusser, er det nødvendigt at tage højde for den lille tærskel for driftstemperaturen. Tilladelig luftfugtighed i mediet er på niveauet 55%.

Modifikationsladningslaget afhænger af hastighedenprocessen med oscillationsgenerering. I nogle tilfælde forbindes dioder via åbne transistorer. I dette tilfælde anvendes gitterfiltre i kredsløbet. Som et resultat er ledningsevnen ved grænsen lig med 40 mikron. Ved en spænding på 12 V skal generatoren med dioder give en overbelastning på mindst 5 A. Når elektrodenes hastighed falder, ændres kontaktoren. Der kan også være problemer i transistoren. Modifikationer af lav ledningsevne er ikke i stand til at opretholde en konstant impuls i systemet.

Dioder til generatorer ved 20 GHz

For generatorer ved 20 GHz anvendes dioderåben og lukket type. I dette tilfælde spilles en vigtig rolle af den valgte kondensator. Som regel anvendes der modifikationer med en udgangsspænding på 30 V. Men det er værd at huske den negative modstand. Hvis denne parameter er undervurderet, falder elektrodenes hastighed signifikant. Der er også problemer med ledningsevne og termiske tab.

Generatorens overbelastningsparameter er stort set ikkefalder under 5 N. Modifikationerne er meget god sikkerhed. I dette tilfælde afhænger mætningen af ​​doping urenheder af modstanden ved udgangen. Til tilslutning via stikket anvendes drevadaptere. I mange tilfælde anvendes transceivere. For at opretholde en stabil spændingsstabilisator er installeret. Det er imidlertid vigtigt at bemærke, at dioder mister signifikant ledningsevne, når der anvendes switch-transceivere.

Modeller til operationelle resonatorer

Operationsresonatorer har brug for hurtigeoscillationsgenerering. Dioder af denne type er velegnede til dette formål. Når du installerer en ændring, er det først og fremmest at se på den negative modstand. Glem ikke ledningsevnen af ​​optiske kontakter, hvor elektrodernes hastighed afhænger. For at øge enhedens kapacitet anbefales det at anvende kapacitive transceivere.

Spændingsparameteren i denne situation er ved grænsenvil nå 30 V. Diodens overbelastning afhænger udelukkende af kondensatorens konduktivitet. Det er også værd at bemærke, at når du installerer ændringen, er det værd at bruge filtre på pladerne. Først og fremmest løser de problemerne med sikkerheden i galliummiljøet. De har også en positiv effekt på legeringsmæssige urenheder.

Dioder i pulserende resonatorer

Specielt til pulserende resonatorer passerdioder på 20 og 50 μm. Ved tilslutning af enheder anvendes kodeadaptere. I nogle tilfælde anvendes stik. Konduktivitet af modifikationer afhænger af saturationshastigheden og niveauet af negativ resistens. Hvis vi overvejer kredsløbet med drevstyringen, er dens spænding på grænsen på 40 V. Sikkerheden opretholdes på et højt niveau. Ulempen ved et sådant system er lav ledningsevne ved lav frekvens, og overbelastningen er kun 4 A.

Mætningshastigheden opretholdes højniveau, men dette opnås ved betydelige varmetab. Hvis vi overvejer ordningen for FET, så er der to filtre brugt. Direkte er Gunn-dioden egnet til 20 μm. Det er nødvendigt at installere adapteren. I dette tilfælde er spændingen ved grænsen ca. 10 V med en negativ modstand på 4 ohm.

Anvendelse af enheder i frekvensomformerne

For drev controllere, Gunn diode er egnet til100 μm. Tilslutning af modifikationer udføres som regel gennem trioder. Disse enheder har god ledningsevne og kan arbejde med gitterfiltre. De er ikke bange for termiske tab, og spændingen opretholdes ved 30 V. Modellerne giver god beskyttelse og høj hastighed af elektroderne. Nogle eksperter bruger også aktivt dioder i kredsløb med komparatorer, der forbinder via to adaptere. Regulatorer til sådanne systemer er egnede til lineær type.

Modeller til frekvens controllere

For at sikre normal drift af frekvensControllers kan kun bruge en Gann diode af lukket type. Modifikationslængden kan være 20 eller 50 μm. I dette tilfælde afhænger meget af styringens egen ledningsevne.

Hvis vi overvejer et kredsløb i en feltkondensator,så er den negative modstand ved toppen 4 ohm. Ved en spænding på 10 V arbejder anordningen stabilt og viser en høj hastighed af elektroner. Mætning afhænger af sikkerheden ved de forbigående kontakter. Ved tilslutning af dioder er det også vigtigt at være opmærksom på ledningsevnen inden for kredsløbet mellem skinnerne.

Dioder i breddestyringer

For de breddestyrede regulatorer, modifikationerne til50 μm. Du kan forbinde enheder via transceiveren. Adapterne vælges dog til to kontakter. I en sådan situation tilvejebringes ledningsevne på 55 mikron ved en spænding på 12 V. Ved tilslutning af en modifikation er det vigtigt at estimere den negative modstand. Også opmærksomheden henvises til kontaktoren på viklingen. Den maksimale tilladte kredsløbsoverbelastning er 3 Nu. For at øge beskyttelsen af ​​modifikationen anvendes kun relæfiltre. Når controlleren er tændt, bør udgangsspændingstærsklen ikke overstige 15 V.